요약- 새로운 비휘발성 메모리는 임베디드 및 스토리지급 애플리케이션에 점점 더 매력적으로 다가오고 있습니다. 백엔드 통합 메모리 셀의 개발 과제 중에는 긴 학습 주기와 높은 웨이퍼 비용이 있습니다. 키사이트는 크로스 포인트 어레이 접근법을 사용하여 메모리 어레이의 짧은 흐름 기반 특성화를 제안합니다. 설계 요구 사항과 테스트 가능성에 대한 상세한 분석을 통해 턴어라운드 시간 및 개발 비용을 절감할 수 있는 숏플로우 기반 솔루션의 타당성을 확인합니다.
키워드 - 신흥 메모리, 크로스 포인트, 메모리 어레이, 셀 특성화, MRAM, PCRAM, DFM